日前在深圳召開的2016三星移動解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內(nèi)存。和現(xiàn)有芯片和6GB內(nèi)存芯片最大的區(qū)別在于使用了最新的10nm制造生產(chǎn)工藝，承諾帶來更快更高效的內(nèi)存。
簡而言之 ，“nm”用于描述創(chuàng)建芯片的生產(chǎn)工藝級別，前面的數(shù)字越小越好。更小的芯片不僅占據(jù)空間更少而且能夠具備更低的功耗和更強悍的性能。在處理器方面目前依然停留在14nm工藝上，例如最新的高通驍龍820處理器。而三星現(xiàn)在打造的6GB內(nèi)存，除了使用LPDDR4標準之外也是首次在智能手機業(yè)內(nèi)使用10nm級別的內(nèi)存。
鑒于現(xiàn)在的發(fā)布時間，我們有很大的理由相信在今年9月份（或8月）亮相的Galaxy Note 6將會搭載這款6GB內(nèi)存，在其他方面根據(jù)目前掌握的謠傳信息該機屏幕將會在5.8到5.9英寸之間，有可能成為三星歷史上首款打雜USB-C端口的設備，但是否會具備弧形屏幕目前尚不確認。
;){kind=link}